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SY8205のメーカーはSANYです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET」です。 |
部品番号 | SY8205 |
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部品説明 | N-Channel MOSFET | ||
メーカ | SANY | ||
ロゴ | |||
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共漏极 N 沟道 SY8205M6G 系列
SY8205
描述:
SY8205M6G系列 共漏极 N 沟道增强
型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度
的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适
用于减小导通电阻。
SY8205M6G 系列适用于低压应用,例
如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电
池的电源电路。
特点:
z 20V/6A
RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=4.5A
RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=3.5A
RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=3A
z 超大密度单元、极小的 RDS(ON))
z 两种封装:SOT23-6
引脚排列图:
典型应用:
z 笔记本电池管理
z 便携式设备
z 电池电源系统
z DC/DC 转换
z 负载开关
z LCD 显示适配器
SOT23-6
http://www.szsemi.com
TEL:0755-36858333
PAGE: 1
1 Page 1、Pulse width limited by Max. junction temperature.
2、Pulse width <300us , duty cycle <2%.
3、Surface Mounted on FR4 Board,t < 10sec.
工作特性曲线:
SY8205
图 1.输出特性曲线
图 2.传输特性曲线
图 3. 电容与漏源电压的关系
图 4. 导通电阻与温度的关系
图 5.开启电压与温度的关系
图 6.体二极管正向压降与源极电流的关系
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TEL:0755-36858333
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3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ SY8205 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SY8205 | N-Channel MOSFET | SANY |
SY8208A | Synchronous Step Down Regulator | Silergy |