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Si2307のメーカーはSiPUです、この部品の機能は「P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor」です。 |
部品番号 | Si2307 |
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部品説明 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
メーカ | SiPU | ||
ロゴ | |||
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Si2307
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON)
Rugged and reliable
Simple drive requirement
SOT-23 package
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (m ) Typ
-20V
-4.0A
80@ VGS=-4.5V
100 @ VGS=-2.5V
NOTE The Si2307is available in
a lead-free package
D
S
G
ABSOLUTE MAXIUM RATINGS TA=25
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuousª@Tj=125
- Pulse d b
Drain-source Diode Forward Currentª
Maximum Power Dissipationª
Operating Junction and Storage
Temperature Range
unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
Limit
-20
±12
-4.0
IDM -12
IS -1.25
PD 1.25
TJ,TSTG
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to Ambientª
Rth JA
100
/W
1
1 Page Si2307
ELECTRICAL CHARACTERICS (TA=25 unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Condition
Min Typ Max Unit
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V,IS=-1.25A
-0.81 -1.2 V
Notes
a. Surface Mounted on FR4 Board, t 10sec
b. Pulse Test: Pulse Width 300Us, Duty 2
c. Guaranteed by design, not subject to production testing.
-VGS=2.5V
-VGS=10.5~3.5V
-VGS=1.5V
VGS=-4.5V
ID=-4A
3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ Si2307 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SI2300DS | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix |
SI2301 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | JinYu |
SI2301 | P-Channel 20-V(D-S) MOSFET | YANGJING |
SI2301 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | MCC |