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SP8J1のメーカーはROHM Semiconductorです、この部品の機能は「Switching Transistors」です。 |
部品番号 | SP8J1 |
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部品説明 | Switching Transistors | ||
メーカ | ROHM Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとSP8J1ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
Transistors
Switching (−30V, −5.0A)
SP8J1
SP8J1
zFeatures
1) Low On-resistance. (40mΩ at 4.5V)
2) High Power Package.
3) High speed switching.
4) Low voltage drive. (4.5V)
zApplications
Power switching, DC-DC converter
zExternal dimensions (Unit : mm)
SOP8
3.9
6.0
0.4Min.
Each lead has same dimensions
zStructure
Silicon P-channel
MOS FET
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
SP8J1
Taping
TB
2500
zEquivalent circuit
(8) (7) (6)
(5)
∗2 ∗2
∗1 ∗1
(1) (2) (3)
∗1 ESD PROTECTION DIODE
∗2 BODY DIODE
(4)
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Source
(4) Tr2 Gate
(5) Tr2 Drain
(6) Tr2 Drain
(7) Tr1 Drain
(8) Tr1 Drain
1/4
1 Page Transistors
zElectrical characteristic curves
10
VDS= −10V
Pulsed
1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
0.01
1000
VGS= −4V
100 VGS= −4.5V
VGS= −10V
10
SP8J1
Ta=25°C
Pulsed
1000
100
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS= −10V
Pulsed
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
1
0.1 1
10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current
1000
100
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS= −4.5V
Pulsed
1000
100
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
VGS= −4V
Pulsed
10
1 Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
VGS=0V
Pulsed
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.4 Static Drain-Source On-State
vs. Drain Current
1
0.1 1 10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.5 Static Drain-Source On-State
vs. Drain Current
0.01
0.0 0.5 1.0 1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : −VSD (V)
Fig.6 Reverse Drain Current
Source-Drain Current
10000
1000
100
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
Ciss
Coss
Crss
10
0.01 0.1 1 10 100
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : −VDS (V)
Fig.7 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10000
1000
100
tf
td (off)
td (on)
10
tr
Ta=25°C
VDD= −15V
VGS= −10V
RG=10Ω
Pulsed
1
0.01 0.1 1 10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.8 Switching Characteristics
8
Ta=25°C
7 VDD= −15V
ID= −5.0A
6 RG=10Ω
Pulsed
5
4
3
2
1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1011121314151617181920
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
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ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ SP8J1 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
SP8J1 | Switching Transistors | ROHM Semiconductor |
SP8J2 | Switching Transistors | ROHM Semiconductor |
SP8J3 | 4V Drive Pch+Pch MOS FET | ROHM Semiconductor |
SP8J4 | Switching Transistors | ROHM Semiconductor |