DataSheet.jp

SP8J66FRA の電気的特性と機能

SP8J66FRAのメーカーはROHM Semiconductorです、この部品の機能は「-30V Pch +Pch Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 SP8J66FRA
部品説明 -30V Pch +Pch Power MOSFET
メーカ ROHM Semiconductor
ロゴ ROHM Semiconductor ロゴ 




このページの下部にプレビューとSP8J66FRAダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。

Total 15 pages

No Preview Available !

SP8J66FRA Datasheet, SP8J66FRA PDF,ピン配置, 機能
SP8J66FRA
  -30V Pch +Pch Power MOSFET
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
-30V
18.5mΩ
±9.0A
2.0W
lFeatures
1) Low on - resistance
2) Small Surface Mount Package (SOP8)
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
4) AEC-Q101 Qualified
lOutline
SOP8
 
      
lInner circuit
   Datasheet
 
lApplication
Switching
lPackaging specifications
Packing
Reel size (mm)
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
Embossed
Tape
330
12
2500
TB
SP8J66
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) <Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
-30 V
Continuous drain current
Pulsed drain current
ID ±9.0 A
IDP*1 ±36 A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 V
Power dissipation (total)
PD*2 2.0
W
PD*3 1.4
Junction temperature
Tj 150
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
                                                                                        
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
20161101 - Rev.001

1 Page





SP8J66FRA pdf, ピン配列
SP8J66FRA
      
        
Datasheet
lElectrical characteristics (Ta = 25°C) <Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn - on delay time
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
Ciss
Coss
Crss
td(on)*4
tr*4
td(off)*4
tf*4
VGS = 0V
VDS = -10V
f = 1MHz
VDD -15V,VGS = -10V
ID = -4.5A
RL = 3.3Ω
RG = 10Ω
Values
Min. Typ. Max.
- 3000 -
- 400 -
- 400 -
- 20 -
- 60 -
- 170 -
- 100 -
Unit
pF
ns
lGate charge characteristics (Ta = 25°C) <Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Qg*4
Qgs*4
Qgd*4
VDD -15V, ID = -9A
VGS = -5V
Values
Min. Typ. Max.
- 35 -
-9-
- 12 -
Unit
nC
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
<Tr1 and Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
IS
ISP*1
VSD*4
Ta = 25
VGS = 0V, IS = -9A
- - -1.6
- - -36
- - -1.2
Unit
A
V
                                                                                          
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
3/11
20161101 - Rev.001


3Pages


SP8J66FRA 電子部品, 半導体
SP8J66FRA
      
lElectrical characteristic curves
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
        
Datasheet
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
 Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance  vs.
Drain Current
                                                                                          
www.rohm.com
© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
6/11
20161101 - Rev.001

6 Page



ページ 合計 : 15 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ SP8J66FRA データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
SP8J66FRA

-30V Pch +Pch Power MOSFET

ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap