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PE532DXのメーカーはUNIKCです、この部品の機能は「Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。 |
部品番号 | PE532DX |
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部品説明 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
メーカ | UNIKC | ||
ロゴ | |||
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PE532DX
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 19mΩ @VGS = 10V
ID3
21A
PDFN 3x3P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
TC= 25 °C
21
Continuous Drain Current3
TC = 100 °C
TA = 25 °C
ID
13
7.5
Pulsed Drain Current1
TA= 70 °C
IDM
6
25
Avalanche Current
IAS 17
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
15
TC= 25 °C
14
Power Dissipation
TC = 100 °C
TA = 25 °C
PD
5
1.7
TA= 70°C
1.1
Operating Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Case
RqJC
8.5
Junction-to-Ambient2
RqJA
70
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
3Package limitation current is 9A.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2016/12/19
1 Page PE532DX
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
3 2016/12/19
3Pages PE532DX
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information(此产品代码为:E7)
B. Tape&Reel Information:5000pcs/Reel
REV 1.0
6 2016/12/19
6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ PE532DX データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
PE532DX | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
PE532DY | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |