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PDF P5506BVG Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P5506BVG | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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P5506BVG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 55mΩ @VGS =10V
ID
5.5A
SOP- 08
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current1
Tc = 25 °C
Tc = 70 °C
ID
5.5
4.5
Pulsed Drain Current
IDM 20
Power Dissipation2
Tc = 25 °C
Tc = 70 °C
PD
2.5
1.3
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle 1%
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
17
37
MAXIMUM
25
50
UNITS
°C / W
Ver 1.0
1 2013-4-11
1 page  
P5506BVG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
5 2013-4-11
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P5506BVG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| P5506BVG | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |  Niko |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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