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P6006BIのメーカーはNIKO-SEMです、この部品の機能は「N-Channel Field Effect Transistor」です。 このページではP6006BIの詳細な仕様と技術情報(パラメータ、電気的特性、ピン配置など)を見つけることができます. |
P6006BI の電気的特性と機能
| 部品番号 | P6006BI |
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| 部品説明 | N-Channel Field Effect Transistor | ||
| メーカ | NIKO-SEM | ||
| ロゴ |  |
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このページの下部にプレビューとP6006BIダウンロード（pdfファイル）リンクがあります。 Total 4 pages
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P6006BI
Field Effect Transistor
TO-251
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 65mΩ
ID
18A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
Avalanche Energy
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
TC = 25 °C
TC = 100 °C
L = 0.1mH
TC = 25 °C
TC = 100 °C
VDS
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
TJ, Tstg
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
60
±20
18
11.8
34
18
16
50
20
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
2.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
LIMITS UNIT
MIN TYP MAX
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
gfs
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 48V, VGS = 0V
VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VGS = 5V, ID = 8A
VGS = 10V , ID = 12A
VDS = 15V, ID = 12A
60
1 1.6 2.5
V
±100 nA
1
10 µA
63 80
mΩ
53 65
22 S
REV 0.9
Mar-01-2011
1
1 Page  
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P6006BI
Field Effect Transistor
TO-251
Halogen-Free & Lead-Free
Output Characteristics
30
VGS=10V
VGS=9V
VGS=8V
24 VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=4.5V
18
VGS=4V
Transfer Characteristics
30
24
18
12
VGS=3.5V
6
0
01234
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
On-Resistance VS Temperature
2.4
5
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
VGS=10V
0.6 ID=12A
0.4
-50
-25 0
25 50 75 100 125
TJ , Junction Temperature(˚C)
150
Gate charge Characteristics
10 Characteristics
8 VDS=30V
ID =12A
6
12
25℃
6 125℃
-20℃
0
0123456
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
Capacitance Characteristic
800
7
700
600 CISS
500
400
300
200
100
0
0
COSS
CRSS
5 10 15 20 25
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
30
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10
4
150℃
25℃
1
2
0
0 3 6 9 12
Qg , Total Gate Charge(nC)
15
0.1
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
1.4
REV 0.9
Mar-01-2011
3
3Pages | |||
| ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ P6006BI datasheet.PDF ] | |
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P6006BI データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 また、P6006BIのさまざまなアプリケーション回路とユースケースを使用して独自の設計に統合する方法を理解するのに役立ちます。 |
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| 部品番号 | 部品説明 | メーカ |
| P6006BD | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
| P6006BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |  UNIKC |
| P6006BI | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
| P6006BI | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |