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PA410BDのメーカーはUNIKCです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。 |
部品番号 | PA410BD |
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部品説明 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
メーカ | UNIKC | ||
ロゴ | |||
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PA410BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
140mΩ @VGS = 10V
ID
10A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
10
7
30
Avalanche Current
IAS 10
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
5
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
35
14
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
3.5
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.2
1 2015/7/29
1 Page PA410BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.2
3 2015/7/29
3Pages PA410BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:2500pcs/Reel
REV 1.2
6 2015/7/29
6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ PA410BD データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
PA410BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
PA410BT | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
PA410BT | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
PA410BTF | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |