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P2610BDのメーカーはUNIKCです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。 |
部品番号 | P2610BD |
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部品説明 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
メーカ | UNIKC | ||
ロゴ | |||
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P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
26.8mΩ @VGS = 10V
ID
36A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
36
23
80
Avalanche Current
IAS 13.9
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
9.7
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
78
31
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction-to-Case
RqJC
Junction-to-Ambient
RqJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
MAXIMUM
1.6
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.2 1 2016/6/6
1 Page P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.2 3 2016/6/6
3Pages P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:2500pcs/Reel
REV 1.2 6 2016/6/6
6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ P2610BD データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
P2610BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P2610BS | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P2610BT | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
P2610BT | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |