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P2610BD の電気的特性と機能

P2610BDのメーカーはUNIKCです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 P2610BD
部品説明 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
メーカ UNIKC
ロゴ UNIKC ロゴ 




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P2610BD Datasheet, P2610BD PDF,ピン配置, 機能
P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
26.8mΩ @VGS = 10V
ID
36A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
36
23
80
Avalanche Current
IAS 13.9
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
9.7
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
78
31
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
Junction-to-Case
RqJC
Junction-to-Ambient
RqJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
MAXIMUM
1.6
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.2 1 2016/6/6

1 Page





P2610BD pdf, ピン配列
P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.2 3 2016/6/6


3Pages


P2610BD 電子部品, 半導体
P2610BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:2500pcs/Reel
REV 1.2 6 2016/6/6

6 Page



ページ 合計 : 8 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ P2610BD データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
P2610BD

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

UNIKC
UNIKC
P2610BS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

UNIKC
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P2610BT

N-Channel Field Effect Transistor

NIKO-SEM
NIKO-SEM
P2610BT

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

UNIKC
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