|
|
P3606BDのメーカーはUNIKCです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode MOSFET」です。 |
部品番号 | P3606BD |
| |
部品説明 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
メーカ | UNIKC | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとP3606BDダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 5 pages
P3606BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 36mΩ @VGS = 10V
ID
22A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC= 25 °C
TC= 100 °C
ID
IDM
22
14
45
Avalanche Current
IAS 18
Avalanche Energy
L=0.1mH
EAS
16
Power Dissipation
TC= 25 °C
TC= 100°C
PD
39
15.6
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
3.2
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2014/12/4
1 Page P3606BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
3 2014/12/4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ P3606BD データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
P3606BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P3606BK | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |