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K2426のメーカーはHitachiです、この部品の機能は「MOSFET ( Transistor ) - 2SK2426」です。 |
部品番号 | K2426 |
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部品説明 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2426 | ||
メーカ | Hitachi | ||
ロゴ | |||
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2SK2426
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• No Secondary Breakdown
• Suitable for Switching regulator, DC-DC converter.
Outline
TO-220CFM
D 12 3
1. Gate
G 2. Drain
3. Source
S
1 Page 2SK2426
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Drain to source breakdown
voltage
V(BR)DSS
250
Gate to source breakdown
voltage
V(BR)GSS
±30
Gate to source leak current IGSS
Zero gate voltage drain current IDSS
Gate to source cutoff voltage VGS(off)
Static drain to source on state RDS(on)
resistance
—
—
2.0
—
Forward transfer admittance |yfs|
5.0
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Body to drain diode forward
voltage
Body to drain diode reverse
recovery time
Note 1. Pulse Test
Ciss
Coss
Crss
t d(on)
tr
t d(off)
tf
VDF
t rr
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ Max Unit
— —V
— —V
— ±10 µA
— 250 µA
— 3.0 V
0.23 0.35 Ω
8.0 —
S
1100
440
68
20
65
100
44
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
200 —
ns
Test Conditions
ID = 10 mA, VGS = 0
IG = ±100 µA, VDS = 0
VGS = ±25 V, VDS = 0
VDS =250 V, VGS = 0
ID = 1 mA, VDS = 10 V
ID = 6 A
VGS = 10 V*1
ID = 6 A
VDS = 10 V*1
VDS = 10 V
VGS = 0
f = 1 MHz
ID = 6 A
VGS = 10 V
RL = 5Ω
IF = 12 A, VGS = 0
IF = 12 A, VGS = 0,
diF / dt = 100 A / µs
See characteristics curves of 2SK1761, 2SK1762.
3
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ K2426 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
K2420 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2420 | Sanken |
K2421 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2421 | Sanken electric |
K2426 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2426 | Hitachi |