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PDF MN611S Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | MN611S | |
| Descripción | Power Transistor | |
| Fabricantes | Sanken | |
| Logotipo |  |
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Power Transistor MN611S
Absolute Maximum Ratings (Ta=25ºC)
Symbol
Ratings
Unit
VCBO
115±10
V
VCEO
115±10
V
VEBO
6V
IC
±6 (pulse ±10)
A
IB 1 A
50 (Tc=25ºC)
PC
W
1.2 (Ta=25ºC, No Fin)
Tj 150 ºC
Tstg
–55 to +150
ºC
Electrical Characteristics
Symbol
ICBO
IEBO
VCEO
hFE
VCE (sat)
VFEC
ES/B
Test Conditions
VCB=105V
VEB=6V
IC=50mA
VCE=1V, IC=1A
IC=1.2A, IB=12mA
IFEC=6A
L=10mA
(Ta = 25ºC)
Ratings
min typ max Unit
10 µA
10 µA
105 115 125 V
400 800 1500
0.08 0.12 V
1.25 1.5 V
45 mJ
Typical Switching Characteristics
VCC RL VBB1 VBB2 IC IB1 IB2 ton tstg tf
(V) (Ω) (V) (V) (A) (mA) (mA) (µs) (µs) (µs)
12 12 10 –5 1 30 –30 0.2typ 5.7typ 0.4typ
■ IC — VCE Characteristics (typ.)
(Ta = 25ºC)
8
7 30mA
6 20mA
5 10mA
4 5mA
3
3mA
2
1 IB = 1mA
0
0123 45 6
VCE (V)
■ VCE (sat) — IB Characteristics (typ.)
0.75
IC = 2A
(Ta = 25ºC)
0.5
IC = 1.2A
0.25
IC = 0.5A
0
0 10 100
IB (mA)
1000
External Dimensions TO220S
10.2±0.3
4.44±0.2
1.3±0.2
a
b
2.54±0.5
1.6
1.27±0.2
+0.2
0.86 –0.1
1.2±0.2
2.54±0.5
+0.2
0.1 –0.1
0.4±0.1
a) Part No.
b) Lot No.
(Unit: mm)
■ VCE (sat) — IB Temperature Characteristics (typ.) ■ IC — VBE Temperature Characteristics (typ.)
0.75
(IC = 1.2A)
7
(VCE = 1V)
■ IFEC — VFEC Temperature Characteristics (typ.)
7
0.5
0.25
0
0
Ta = 150ºC
125ºC
75ºC
25ºC
–55ºC
10 100
IB (mA)
1000
6
5 Ta = 150ºC
125ºC
75ºC
4 25ºC
–55ºC
3
2
1
0
0 0.5 1.0
VBE (V)
1.5
6
5
Ta = 150ºC
4 125ºC
75ºC
3
25ºC
–55ºC
2
1
0
0 0.5 1.0
VFEC (V)
1.5
■ hFE — IC Characteristics (typ.) (Ta = 25ºC)
5000
(VCE = 1V)
■ hFE — IC Temperature Characteristics (typ.)
5000
(VCE = 1V)
■ ton•tstg•tf — IC Characteristics (typ.)
10
tstg
1000
typ
100
30
0.01
0.1 1
Ic (A)
1000
100
30
10 0.01
Ta = 150ºC
125ºC
75ºC
25ºC
–55ºC
0.1 1
Ic (A)
Ta = 25ºC
VCC = 12V
1 IB1 = –IB2 = 30mA
tf
0.1 ton
10 0
1
2
Ic (A)
3
■ j-c • j-a — t Characteristics (Single pulse)
(Tc = 25ºC)
50
j-a
10 FR4 (70 • 100 • 1.6mm) Use substrate
■ Safe Operating Area (Single pulse)
(Ta = 25ºC)
20
10
j-c
1
0.1
0.001
0.01
0.1
t (s)
1
10
PT =50µs
PT =500µs
1 PT =1ms
PT =10ms
Without heatsink
0.1
1
10
VCE (V)
100 200
■ PT — Ta Derating
60
50
40
30
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150
Ta (ºC)
93
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| MN61113 | 2K-Bit EEPROMs |  Panasonic Semiconductor |
| MN611S | Power Transistor | Sanken |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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