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IGW40N120H3のメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IGW40N120H3 |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGBT
HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology
recommendedincombinationwithSiCDiodeIDH15S120
IGW40N120H3
1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IGW40N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
3 Rev.2.2,2014-11-26
3Pages IGW40N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
160
100
140
120
100
80
60
TC=80°
40
TC=110°
20 TC=80°
TC=110°
0
1 10 100 1000
f,SWITCHINGFREQUENCY[kHz]
Figure 1. Collectorcurrentasafunctionofswitching
frequency
(Tj≤175°C,D=0.5,VCE=600V,VGE=15/0V,
rG=12Ω)
tp=1µs
10µs
10 50µs
100µs
200µs
500µs
1 DC
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 2. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tj≤175°C;VGE=15V)
500 80
400
60
300
40
200
20
100
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tj≤175°C)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 4. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE≥15V,Tj≤175°C)
6 Rev.2.2,2014-11-26
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ページ | 合計 : 14 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IGW40N120H3 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IGW40N120H3 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |