|
|
IKD04N60RAのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IKD04N60RA |
| |
部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとIKD04N60RAダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 16 pages
IGBT
IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage
IKD04N60RA
600VTRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IKD04N60RA
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
3 Rev.2.1,2013-02-15
3Pages IKD04N60RA
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications
DiodeCharacteristic,atTvj=25°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=25°C,
VR=400V,
IF=4.0A,
diF/dt=600A/µs
- 43 - ns
- 0.22 - µC
- 7.6 - A
- -330 - A/µs
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=4.0A,
VGE=0.0/15.0V,
rG=43.0Ω,Lσ=60nH,
Cσ=40pF
Lσ,CσfromFig.E
min.
Value
typ.
max. Unit
- 12 - ns
- 8 - ns
- 177 - ns
- 165 - ns
- 0.16 - mJ
- 0.24 - mJ
- 0.40 - mJ
DiodeCharacteristic,atTvj=175°C
Diode reverse recovery time
trr
Diode reverse recovery charge
Qrr
Diode peak reverse recovery current Irrm
Diode peak rate of fall of reverse
recoverycurrentduringtb
dirr/dt
Tvj=175°C,
VR=400V,
IF=4.0A,
diF/dt=600A/µs
- 98 - ns
- 0.52 - µC
- 11.0 - A
- -200 - A/µs
6 Rev.2.1,2013-02-15
6 Page | |||
ページ | 合計 : 16 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ IKD04N60RA データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IKD04N60R | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD04N60RA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
IKD04N60RF | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon Technologies |
IKD04N60RFA | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |