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CE3514M4のメーカーはCELです、この部品の機能は「12GHz Low Noise FET」です。 |
部品番号 | CE3514M4 |
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部品説明 | 12GHz Low Noise FET | ||
メーカ | CEL | ||
ロゴ | |||
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RF Low Noise FET
CE3514M4
12GHz LoEwnteNroaiSsheoFrtEDTociunmDeunta/TlitMleoNladmPelHaesrteic PKG
DESCRIPTION
Low Noise and High Gain
Original Dual Mold Plastic package
FEATURES
Low noise figure and high associated gain
NF=0.42dB TYP., Ga=12.2dB TYP. @VDS=2V,
ID=10mA, f=12GHz
PACKAGE
Flat-lead 4-pin thin-type super minimold
package
APPLICATIONS
DBS LNB gain-stage, Mix-stage
Low noise amplifier for microwave
communication systems
ORDERING INFORMATION
Part Number
Order Number
CE3514M4
CE3514M4-C2
Package
Flat-lead 4-pin
thin-type super
minimold
package
Marking
C0F
Description
• Embossed tape 8 mm wide
• Pin 1(Source), Pin 2 (Drain)
Face the perforation side of
the Tape
• MOQ 15 kpcs/reel
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Date Published: July 2016
CDS-0021-02 (Issue A)
1
1 Page CE3514M4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = +25˚C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Condition
Gate to Source Leak Current
Saturated Drain Current
IGSO
IDSS
VGS = -3.0V
VDS = 2V, VGS = 0V
Gate to Source Cut-off Voltage VGS(off)
VDS = 2V, ID = 120µA
Transconductance
Noise Figure
Associated Gain
Gm VDS = 2V, ID = 10mA
NF VDS = 2V, ID = 10mA,
Ga f = 12GHz
MIN.
-
27
-1.10
54
-
10.5
TYP.
0.4
47.5
-0.75
69
0.42
12.2
MAX.
10
68
-0.39
-
0.62
-
Unit
µA
mA
V
mS
dB
dB
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3
3Pages REVISION HISTORY
Version
CDS-0021-02 (Issue A)
July 28, 2016
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Initial datasheet
CE3514M4
Page(s)
N/A
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6 Page | |||
ページ | 合計 : 8 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ CE3514M4 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
CE3514M4 | 12GHz Low Noise FET | CEL |