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VP2020L の電気的特性と機能

VP2020LのメーカーはTEMICです、この部品の機能は「P-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 VP2020L
部品説明 P-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
メーカ TEMIC
ロゴ TEMIC ロゴ 




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VP2020L Datasheet, VP2020L PDF,ピン配置, 機能
Siliconix
TP1220L, TP/VP2020L, BSS92
PĆChannel EnhancementĆMode MOS Transistors
Product Summary
Part Number
TP1220L
TP2020L
VP2020L
BSS92
V(BR)DSS Min (V)
-120
-200
-200
-200
rDS(on) Max (W)
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -10 V
VGS(th) (V)
-1 to -2.4
-1 to -2.4
-0.8 to -2.5
-0.8 to -2.8
ID (A)
-0.12
-0.12
-0.12
-0.15
Features
D HighĆSide Switching
D Secondary Breakdown Free:
-220 V
D Low OnĆResistance: 11.5 W
D LowĆPower/Voltage Driven
D Excellent Thermal Stability
Benefits
D Ease in Driving Switches
D FullĆVoltage Operation
D Low Offset Voltage
D Easily Driven Without Buffer
D No HighĆTemperature
RunĆAway"
Applications
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,
Hammers, Displays, Memories, Transistors,
etc.
D Power Supply, Converters
D Motor Control
D Switches
TOĆ226AA
(TOĆ92)
S1
G2
D3
Top View
TP1220L
TP2020L
VP2020L
TOĆ92Ć18CD
(TOĆ18 Lead Form)
S1
D2
G3
Top View
BSS92
Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
DrainĆSource Voltage
GateĆSource Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 150_C)
P u l s e d D r a i n Ca u r r e n t
TA= 25_C
TA= 1 0_0C
Power Dissipation
Maximum JunctionĆtoĆAmbient
TA= 25_C
TA= 100_C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RthJA
TJ, Tstg
TP1220L TP2020L VP2020L
-120
"20
-0.12
-0.08
-0.48
0.8
0.32
156
-200
-200
"20
"20
-0.12
-0.12
-0.08 -0.08
-0.48
-0.48
0.8 0.8
0.32 0.32
156 156
-55 to 150
BSS92 Unit
-200
"20
-0.15
-0.09
-0.6
1.0
0.4
125
V
A
W
_C/W
_C
P-37994—Rev. B (08/08/94)
1

1 Page





VP2020L pdf, ピン配列
Siliconix
TP1220L, TP/VP2020L, BSS92
Typical Characteristics (25_C Unless Otherwise Noted)
-500
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
-100
-400
-300
-200
VGS = -10 V
-6 V
-5 V
-4.5 V
-4 V
-100
-3 V
0
0 -1 -2 -3 -4 -5
VDS - DrainĆtoĆSource Voltage (V)
-100
-80
Transfer Characteristics
VDS = -15 V
25_C
-60
-40
-20
0
0
25
TJ = 125_C
-55_C
-1 -2 -3 -4
VGS - GateĆSource Voltage (V)
OnĆResistance
-5
20
VGS = -4.5 V
15
10
-10 V
5
0
0 -50 -100 -150 -200 -250
VGS - GateĆSource Voltage (V)
P-37994—Rev. B (08/08/94)
-80
VGS = -4 V
-3.6 V
-60
-40 -3 V
-20 -2 V
0
0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0
VDS - DrainĆtoĆSource Voltage (V)
OnĆResistance vs. GateĆtoĆSource Voltage
20
18
16
14 ID = -0.1 A
12
10
-0.05 A
-0.02 A
8
0 -4 -8 -12 -16
VGS - GateĆSource Voltage (V)
Normalized OnĆResistance
vs. Junction Temperature
2.25
VGS = -4.5 V
2.00 ID = -0.1 A
-20
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
-10 30
70 110
TJ - Junction Temperature (_C)
150
3


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
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[ VP2020L データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
VP2020L

P-Channel 200-V (D-S) MOSFETs

Vishay
Vishay
VP2020L

P-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors

TEMIC
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