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BSC016N03MSG の電気的特性と機能

BSC016N03MSGのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 BSC016N03MSG
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ Infineon
ロゴ Infineon ロゴ 




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Total 10 pages

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BSC016N03MSG Datasheet, BSC016N03MSG PDF,ピン配置, 機能
BSC016N03MS G
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
Features
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• 100% avalanche tested
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
V GS=10 V
V GS=4.5 V
30 V
1.6 m
2
100 A
• N-channel
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
PG-TDSON-8
• Superior thermal resistance
• Pb-free plating; RoHS compliant;
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
Package
Marking
BSC016N03MS G
PG-TDSON-8 016N03MS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25
Rev. 1.17
page 1
Value
100
100
100
100
28
400
50
340
±20
Unit
A
mJ
V
2009-10-22

1 Page





BSC016N03MSG pdf, ピン配列
Parameter
Symbol Conditions
BSC016N03MS G
min.
Values
typ.
Unit
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
C iss
C oss
Crss
t d(on)
tr
t d(off)
tf
V GS=0 V, V DS=15 V,
f =1 MHz
V DD=15 V, V GS=4.5 V,
I D=30 A, R G=1.6
Gate Charge Characteristics5)
Gate to source charge
Gate charge at threshold
Gate to drain charge
Switching charge
Gate charge total
Gate plateau voltage
Gate charge total
Gate charge total, sync. FET
Output charge
Q gs
Q g(th)
Q gd
Q sw
Qg
V plateau
V DD=15 V, I D=30 A,
V GS=0 to 4.5 V
Qg
V DD=15 V, I D=30 A,
V GS=0 to 10 V
Q g(sync)
V DS=0.1 V,
V GS=0 to 4.5 V
Q oss
V DD=15 V, V GS=0 V
Reverse Diode
Diode continuous forward current
Diode pulse current
Diode forward voltage
IS
I S,pulse
V SD
T C=25 °C
V GS=0 V, I F=30 A,
T j=25 °C
Reverse recovery charge
Q rr
V R=15 V, I F=I S,
di F/dt =400 A/µs
4) See figure 13 for more detailed information
5) See figure 16 for gate charge parameter definition
Rev. 1.17
page 3
-
-
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-
-
10000
2600
210
31
16
42
16
13000 pF
3500
-
- ns
-
-
-
26 34 nC
14 19
13 22
25 37
63 84
2.6 - V
130 173
55 73 nC
70 93
- 100 A
- 400
0.8 1.1 V
- 30 nC
2009-10-22


3Pages


BSC016N03MSG 電子部品, 半導体
9 Drain-source on-state resistance
R DS(on)=f(T j); I D=30 A; V GS=10 V
3
BSC016N03MS G
10 Typ. gate threshold voltage
V GS(th)=f(T j); V GS=V DS; I D=250 µA
2.5
2
98 %
typ
1
2
1.5
1
0.5
0
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
0
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
11 Typ. capacitances
C =f(V DS); V GS=0 V; f =1 MHz
105
12 Forward characteristics of reverse diode
I F=f(V SD)
parameter: T j
1000
25 °C
150 °C, 98%
104
Ciss
Coss
103
Crss
102
100
150 °C
10
25 °C, 98%
101
0
Rev. 1.17
10 20
V DS [V]
1
30 0.0
page 6
0.5 1.0 1.5
V SD [V]
2.0
2009-10-22

6 Page



ページ 合計 : 10 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ BSC016N03MSG データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
BSC016N03MSG

Power MOSFET ( Transistor )

Infineon
Infineon


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