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2CR084A8CのメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「N-type Silicon Schottky Rectifier Diode」です。 |
部品番号 | 2CR084A8C |
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部品説明 | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
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硅 N 型快恢复整流二极管
2CR084 A8C
○R
产品概述
2CR084 A8C 是 N 型
硅外延超快恢复二极管,
采用平面制造工艺及重金
属掺杂工艺,具有低正向
压降、低反向漏电及超快
反向恢复速度等优点。
产品特点
●超快反向恢复速度
●超低反向漏电
●低正向压降
●高抗浪涌能力
应用
● 缓冲器
● 逆变器
● 电机驱动
● 通用整流
特征参数
符号
VRRM
IF(AV)
VF(IF=8A)
trr(IF=0.5A)
额定值
400
8
1.3
40
单位
V
A
V
ns
封装 TO-220AC
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值 (Per Diode)
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
可重复峰值反向电压
均方根电压
直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流
结温
贮存温度
热 阻 (Per Diode)
参数名称
结到壳的热阻
符号
RθJC
符号
VRRM
VRMS
VR
IF(AV)
IFSM
Tj
Tstg
额定值
400
280
400
8
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
℃
℃
最小值
典型值
最大值
3
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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1 Page 2CR084 A8C
○R
特性曲线
IF-VF 关系曲线(Per Diode)
100
IR-VR 关系曲线(Per Diode)
10
10
125℃
1
0.1
25℃
125℃
1
0.1
25℃
0.01
0.01
0.4
0.6 0.8 1 1.2
正向压降 VF (V)
1.4
IF-TC 关系特性(Per Diode)
10
0.001
0
100 200 300 400
反向压降 VR (V)
250
正向浪涌非重复峰值电流(Per Diode)
150
100
5
8.3ms Single Half Sine
Wave Jedec Method
50
0
0 100
外壳温度 (℃)
200
0
0 50
浪涌冲击次数
100
雪崩耐量测试电路
Imax=1A L=40mH R<0.1Ω
EAVL=1/2LI2〔VR(AVL)/(VR(AVL)-VDD)〕
Q1=IGBT(VCES>DUT VR(AVL))
Q1
L
CURRENT SENSE
DUT
R
VDD
VDD
雪崩电流与电压波形
IV
IL
VAVL
IL
t0 t1 t2
t
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
3/4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2CR084A8C データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2CR084A8C | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | Huajing Microelectronics |