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2CZ10100A9のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「N-type Silicon Schottky Rectifier Diode」です。 |
部品番号 | 2CZ10100A9 |
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部品説明 | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
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硅 N 型肖特基整流二极管
2CZ10100 A9
○R
产品概述
2CZ10100 A9 是阳极
短路肖特基二极管,具有
平衡的正向压降特性和高
温漏电特性。典型应用为
开关电源整流输出、续流
二极管、电池反向保护。
产品特点
●150℃工作结温
●高开关速度
●低正向压降
●低功率损耗
●保护环结构
符号
VRRM
IF(AV)
VF(MAX)
特征参数
额定值
100
10
0.85
封装
单位
V
A
V
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
最大可重复峰值反向电压
最大直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3ms,sinusoidal)
可重复反向浪涌电流(2μs,1kHz)
最高工作结温
贮存温度
电压变化率
热阻
参数名称
结到壳的热阻
符号
RθJC
符号
VRRM
VR
IF(AV)
IFSM
IRRM
Tj
Tstg
dV/dt
额定值
100
100
10
150
0.5
150
-55~150
10
单位
V
V
A
A
A
℃
℃
KV/μs
最小值
典型值
最大值
4.5
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4
1 Page 特性曲线
100
10
2CZ10100 A9
最大 IF-VF 关系曲线
125℃
75℃
25℃
100
10
○R
典型 IF-VF 关系曲线
125℃
75℃
25℃
11
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8
1
正向压降 VF (V)
典型 IR-VR 关系特性
10
125℃
1
1.2
0.1
0.01
0.001
75℃
25℃
0.0001
0
20 40 60 80 100
反向电压 VR (V)
IF-TC 关系曲线
18
Pulse Test:tp=300μs,δ≤2%
16
14
12 Square Wave
10
8
6
4
2
0
115 120 125 130 135 140 145 150 155
外壳温度 TC (℃)
无锡华润华晶微电子有限公司
0.1
0.2
0.4 0.6 0.8
1
正向压降 VF (V)
1.2
700
600
500
400
300
200
100
0
0
典型 C-VR 关系曲线
20 40 60 80 100 120
反向电压 VR (V)
14
12
10
8
6
4
2
0
0
PF- IF 关系曲线
Pulse Test:tp=300μs,δ≤2%
Square Wave
24
6 8 10 12 14 16 18
正向平均电流 IF (AV)(A)
2015V01
3/4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2CZ10100A9 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2CZ10100A8 | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | Huajing Microelectronics |
2CZ10100A9 | N-type Silicon Schottky Rectifier Diode | Huajing Microelectronics |