DataSheet.jp

3DD3150A8 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD3150A8
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 

Total 4 pages
		

No Preview Available !

3DD3150A8 Datasheet, 3DD3150A8 PDF,ピン配置, 機能
产品概述
3DD3150 A8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3150 A8
R
产品特点
特征参数
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
800
3
40
V
A
W
封装 TO-220AB
开关电源中作电压调整
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
1100
800
9
3
6
1.5
3
1.5
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
3.1
83.3
单位
/W
/W
1/4

1 Page





ページ 合計 : 4 ページ
PDF
ダウンロード
[ 3DD3150A8.PDF ]

共有リンク

Link :

おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
3DD3150A8

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

www.DataSheet.jp    |   2019   |  メール    |   最新    |   Sitemap