|
|
3DD741A8のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。 |
部品番号 | 3DD741A8 |
| |
部品説明 | Silicon NPN Transistor | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと3DD741A8ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
产品概述
3DD741 A8 是硅 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺,分压环终端
结构和少子寿命控制技术,
提高了产品的击穿电压、开
关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD741 A8
○R
产品特点
● 击穿电压高
● 二次耐量好
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 电子镇流器
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot(TC=25℃)
400
2.5
60
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
1050
400
15
2.5
5
1.25
2.5
2
60
150
-55~150
最小值 典型值
2012 版
最大值
2.08
62.5
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
单位
℃/W
℃/W
1/4
1 Page 特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
3DD741 A8
75
○R
Ptot – Ta 关系曲线
1 DC
100μs
1ms
0.1
10ms
0.01
0.001
1
Ta=25℃
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.2
Ta=25℃
60
45 With Infinite Heatsink
30
15
Without Heatsink
0
0
25 50
75
100 125
150
环境温度 Ta (℃)
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125℃
Ta=25℃
Ta= -55℃
VCE=5V
0.1 10
IB=0.5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125℃
0.1 Ta=25℃
0.01
0.1
IC/IB=3
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.2
10
Ta=25℃
0.7
Ta=125℃
0.2
0.01
IC/IB=3
0.1 1 10
集电极电流 IC (A)
2012 版
3 /4
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 3DD741A8 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3DD741A8 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |