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3DD741A8 の電気的特性と機能

3DD741A8のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD741A8
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




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3DD741A8 Datasheet, 3DD741A8 PDF,ピン配置, 機能
产品概述
3DD741 A8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
了产品的击穿电压、开
关速和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD741 A8
R
产品特点
击穿电压高
二次耐量好
高温特性
合适开关速
可靠性
应用
电子镇流器
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
2.5
60
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
1050
400
15
2.5
5
1.25
2.5
2
60
150
-55150
最小值 典型值
2012
最大值
2.08
62.5
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
单位
/W
/W
1/4

1 Page





3DD741A8 pdf, ピン配列
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
3DD741 A8
75
R
Ptot Ta 关系曲线
1 DC
100μs
1ms
0.1
10ms
0.01
0.001
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
0.2
Ta=25
60
45 With Infinite Heatsink
30
15
Without Heatsink
0
0
25 50
75
100 125
150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
Ta=25
Ta= -55
VCE=5V
0.1 10
IB=0.5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1 Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=3
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.2
10
Ta=25
0.7
Ta=125
0.2
0.01
IC/IB=3
0.1 1 10
集电极电流 IC (A)
2012
3 /4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 3DD741A8 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
3DD741A8

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
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