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3DD13003S1DのメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。 |
部品番号 | 3DD13003S1D |
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部品説明 | Silicon NPN Transistor | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 S1D
○R
产品概述
3DD13003 S1D 是 硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,分压环
终端结构和少子寿命控制
技术,集成了有源抗饱和网
络,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
200
1.5
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
1.5
3
0.75
1.5
0.8
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
1/5
1 Page 3DD13003 S1D
○R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot – Ta 关系曲线
1
1
100μs
0.1 1ms
10ms
DC
0.01
Ta=25℃
0.001
1
10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
1000
IC-VCE 特性 (典型)
0.4
Ta=25℃
0.2
0.8
0.6 Without Heatsink
0.4
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta (℃)
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
VCE=5V
Ta=125℃
Ta=25℃
10
Ta= -55℃
IB=5mA
0
0
2
46
8
集电极-发射极电压 VCE (V)
10
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125℃
0.1
Ta=25℃
0.01
0.1
IC/IB=4
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
10
1.2
1
Ta=25℃
Ta=125℃
0.8
0.6
0.4
0.01
IC/IB=4
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2012 版
3/5
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 3DD13003S1D データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3DD13003S1D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |