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3DD13003U6D の電気的特性と機能

3DD13003U6DのメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD13003U6D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




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3DD13003U6D Datasheet, 3DD13003U6D PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 U6D
R
产品概述
3DD13003 U6D
NPN 型功率开晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
关速和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
1.8
35
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
350
200
9
1.8
3.6
0.9
1.8
1.25
35
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
3.1
100
2015V01
单位
/W
/W
1/ 4

1 Page





3DD13003U6D pdf, ピン配列
3DD13003 U6D
R
特性曲线
安全工作区(单脉冲)
10
100μs
1
DC
1ms
0.1 10ms
0.01
Ta=25
0.001
1
10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
1000
IC-VCE 特性 (典型)
0.4
Ta=25
0.2
Ptot Ta 关系曲线
50
40
With Infinite Heatsink
30
20
10
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
10
Ta= -55
IB=2mA
0
02 468
集电极-发射极电压 VCE (V)
10
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=4
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
Ta=125
0.8
0.6
0.4
0.01
IC/IB=4
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2015V01
3/4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
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[ 3DD13003U6D データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
3DD13003U6D

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


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