No Preview Available ! 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD128F H5D ○R 产品概述 3DD128F H5D 是 硅 NPN 型功率开关晶体管,该 产品采用平面工艺,少子寿 命控制技术,集成了有源抗 饱和网络,提高了产品的击 穿电压、开关速度和可靠 性。 产品特点 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 ● 合适的开关速度 ● 可靠性高 应用 ● 紧凑型电子节能灯 ● 电子镇流器 ● 一般功率开关电路 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC Ptot (TC=25℃) 200 3.5 50 V A W 封装 TO-126A 存储条件和焊接温度 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 环境温度-10℃~40℃ 1 年 265℃ 相对湿度 <85% 内部结构图 C B 极限值 除非另有规定,Ta= 25℃ 参数名称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极直流电流 集电极脉冲电流(tp<5ms) 基极直流电流 基极脉冲电流(tp<5ms) 耗散功率 结温 贮存温度 热阻 参数名称 结到壳的热阻 结到环境的热阻 E Ta=25℃ Tc=25℃ 符号 VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 额定值 350 200 9 3.5 7 1.75 3.5 1.5 50 150 -55~150 单位 V V V A A A A W ℃ ℃ 符号 RθJC RθJA 最小值 典型值 最大值 2.5 83 单位 ℃/W ℃/W 无锡华润华晶微电子有限公司 2015V01 1/ 4 1 Page
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Silicon NPN Transistor
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