No Preview Available !

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD128F H5D
○R
产品概述
3DD128F H5D 是 硅
NPN 型功率开关晶体管，该
产品采用平面工艺，少子寿
命控制技术，集成了有源抗
饱和网络，提高了产品的击
穿电压、开关速度和可靠
性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot （TC=25℃）
200
3.5
50
V
A
W
封装 TO-126A
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃～40℃
1 年 265℃
相对湿度 ＜85％
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流（tp＜5ms）
基极直流电流
基极脉冲电流（tp＜5ms）
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
3.5
7
1.75
3.5
1.5
50
150
-55～150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
2.5
83
单位
℃/W
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/ 4

1 Page