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3DD128F PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD128F
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 

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3DD128F Datasheet, 3DD128F PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD128F
R
产品概述
3DD128F NPN
功率开晶体管,该产品采
用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术,集
成了源抗饱和网络提高
了产品击穿电压关速
和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
4
50
V
A
W
封装 TO-126F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
350
200
9
4
8
2
4
1.5
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
2.5
83
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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部品番号部品説明メーカ
3DD128A8D

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
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3DD128F

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD128FA7D

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3DD128FH3D

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