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3DD13009X8D の電気的特性と機能

3DD13009X8DのメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD13009X8D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




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3DD13009X8D Datasheet, 3DD13009X8D PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13009 X8D
R
产品概述
3DD13009 X8D
NPN 型功率开晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
关速和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
12
100
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
12
24
6
12
2.0
100
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
1.25
62.5
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/ 4

1 Page





3DD13009X8D pdf, ピン配列
3DD13009 X8D
R
特性曲线
100
安全工作区(单脉冲)
100 Ptot Ta 关系曲线
10
DC
1
0.1
100μs
1ms
10ms
0.01
1
Ta=25
10 100
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
4
Ta=25
2
80
With Infinite Heatsink
60
40
20
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta ()
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
10
Ta= -55
IB=20mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1 Ta=125
Ta=25
0.1
0.01
1
IC/IB=4
10 100
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.1
1
10 100
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
Ta=125
0.8
0.6
0.4
0.1
IC/IB=4
1 10 100
集电极电流 IC (A)
2015V01
3/4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
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[ 3DD13009X8D データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
3DD13009X8D

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


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