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3DG44のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。 |
部品番号 | 3DG44 |
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部品説明 | Silicon NPN Transistor | ||
メーカ | Huajing Microelectronics | ||
ロゴ | |||
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DG44
○R
产品概述
3DG44 是硅 NPN 型功
率开关晶体管,该产品采
用平面工艺,硅单晶重掺
杂衬底材料,分压环终端
结构,提高了产品的击穿
电压、开关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
●电子镇流器中 PFC
电路
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
400
0.3
0.625
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
内部结构图
C
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
500
400
9
0.3
0.6
0.15
0.3
0.625
150
-55~150
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
200
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
1/5
1 Page 3DG44
特性曲线
1
安全工作区(单脉冲)
100μs
0.1
0.01
DC
1ms
10ms
0.001
Ta=25℃
0.0001
1
10 100
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
20
1000
Ta=25℃
10
○R
Ptot – Ta 关系曲线
1
0.8
0.6
0.4
Without Heatsink
0.2
0
0
25 50
75 100 125 150
环境温度 Ta (℃)
hFE-IC 温度特性 (典型)
1000
VCE=5V
Ta=125℃
Ta=25℃
100 Ta= -55℃
IB=10μA
0
0 4 8 12 16 20
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125℃
Ta=25℃
0.1
0.01
0.01
IC/IB=10
0.1
集电极电流 IC (A)
1
无锡华润华晶微电子有限公司
10
0.001
0.01 0.1
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1
1
Ta=25℃
Ta=125℃
0.5
0
0.001
IC/IB=10
0.01 0.1 1
集电极电流 IC (A)
2012 版
3/5
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 3DG44 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
3DG400 | SILICON NPN TRANSISTOR | LZG |
3DG40005AS-H | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
3DG4006 | NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
3DG44 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |