DataSheet.jp

3DD3145A8 の電気的特性と機能

3DD3145A8のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD3145A8
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




このページの下部にプレビューと3DD3145A8ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 4 pages

No Preview Available !

3DD3145A8 Datasheet, 3DD3145A8 PDF,ピン配置, 機能
产品概述
3DD3145 A8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3145 A8
R
产品特点
特征参数
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
700
1.3
60
V
A
W
封装 TO-220AB
开关电源中作电压调整
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
700
9
1.3
2.6
0.65
1.3
1.3
60
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
2.1
96.2
单位
/W
/W
1/4

1 Page





3DD3145A8 pdf, ピン配列
3DD3145 A8
R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
100
1 100μs
0.1 1ms
DC
10ms
0.01
0.001
1
Ta=25
10 100 1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
1
Ta=25
80
60
With Infinite Heatsink
40
20
Without Heatsink
0
0
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
100
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
0.5 10 Ta= -55
IB=5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=2
1
集电极电流 IC (A)
10
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=2
0.1 1
集电极电流 IC (A)
10
2012
3 /4


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 3DD3145A8 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
3DD3145A6

Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3145A8

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap