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3DD4513A6D PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD4513A6D
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 



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3DD4513A6D Datasheet, 3DD4513A6D PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4513 A6D
R
`产品概述
3DD4513 A6D
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术提高了产品击穿
、开关速和可靠性。
产品特点
开关损
反向漏电流小
特性好
合适开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
450
1.3
40
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.3
2.6
0.65
1.3
1.25
30
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
2012
最大值
4.17
100
单位
/W
/W
1/4

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