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3DD4515A6 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD4515A6
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 



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3DD4515A6 Datasheet, 3DD4515A6 PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4515 A6
R
产品概述
3DD4515 A6 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
充电器
电源转换
一般功率开关电
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Tc=25℃)
450
1.5
50
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.5
3.0
0.75
1.5
1.25
50
150
-55150
最小值
典型值
2012
最大值
2.5
100
E
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
单位
/W
/W
1/4

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部品番号部品説明メーカ
3DD4515A1

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
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3DD4515A6

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