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PDF 3DD4518A1D Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 3DD4518A1D | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor | |
| Fabricantes | Huajing Microelectronics | |
| Logotipo |  |
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4518 A1D
○R
产品概述
3DD4518 A1D-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管，该
产品采用平面工艺，分压环
终端结构和少子寿命控制
技术，提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
存储条件和焊接温度
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 充电器
● 电源转换
● 一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃～40℃
1 年 265℃
相对湿度 ＜85％
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot （Ta=25℃）
450
1.8
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定，Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流（tp＜5ms）
基极直流电流
基极脉冲电流（tp＜5ms）
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
450
9
1.8
3.6
0.9
1.8
0.8
150
-55～150
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5
1 page  
3DD4518 A1D
○R
项目
引线口径（□形）
引线编入胶带内长度
元件间距
输送孔中心间距
输送孔中心至元件中心间距
符合
□d
L1
P
P0
P2
数 值(mm)
0.5±0.05
2.5（min）
12.7±0.1
12.7±0.3
6.35±0.4
备注
典型值
累计误差±1.0/20 个间距
引线间距
F1,F2
2.6
元件倾斜度
△h,△p
0±1.0
纸带宽度
W
18.0 +1.0
−0.5
热熔胶带宽度
W0
6.0±0.3
孔位
W1 9.0±0.5
胶带与纸带相对位置
W2
0.5MAX
从带中心至元件底部距离
H
19.0±1.0
引线弯曲部距离
H0
16.0±0.5
元件顶部至纸带中心距
H1
23.0≤H1≤32.25
输送孔直径
ФD0
4.0±0.2
总纸厚度 t 0.6±0.2
颈根 H* 1.5-2.0
引线切断后至孔中心相对长度
L
11.0MAX
包装说明
1）产品的小包装，采用 2000 只/盒的中号纸盒包装；
2）产品的大包装，采用 15 盒/箱的大号纸板箱包装。
注意事项
底纸厚度 0.4±0.02
1）凡华润华晶出厂的产品，均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求；对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2）建议器件在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引起的产品失效；
避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3）本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪路 14 号
邮编：214061
网址：http://www. crhj.com.cn
电话：0510-8580 7228
传真：0510-8580 0864
市场营销部 邮编：214061
电话：0510-8180 5277 / 8180 5336
应用服务 电话：0510-8180 5243
传真：0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 3DD4518A1D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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