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3DD3040A1 の電気的特性と機能

3DD3040A1のメーカーはHuajing Microelectronicsです、この部品の機能は「Silicon NPN Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 3DD3040A1
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 




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3DD3040A1 Datasheet, 3DD3040A1 PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3040 A1
R
产品概述
3DD3040 A1-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少子寿命控制
技术了产品的击穿电
开关可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
反向击穿电压高
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
2
0.8
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
450
9
2
4
1
2
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5

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3DD3040A1 pdf, ピン配列
3DD3040 A1
R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
1
1
0.1 D C
100μs
0.01
0.001
1
Ta=25
10 100
1ms
10ms
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
1
Ta=25
0.5
0.8
Without Heatsink
0.6
0.4
0.2
0
0
100
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
Ta= -55
10
IB=5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=4
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=4
0.1 1
10
集电极电流 IC (A)
2015V01
3 /5


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 3DD3040A1 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
3DD3040A1

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A3

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A6

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A7

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics


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