DataSheet.jp

3DD3040A6 PDF Datasheet ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD3040A6
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 

Total 4 pages
		

No Preview Available !

3DD3040A6 Datasheet, 3DD3040A6 PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3040 A6
R
产品概述
3DD3040 A6 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
450
2
50
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
450
9
2
4
1
2
1.3
50
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
2.5
96.2
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
1/4

1 Page





ページ 合計 : 4 ページ
PDF
ダウンロード
[ 3DD3040A6.PDF ]

共有リンク

Link :

おすすめデータシート

部品番号部品説明メーカ
3DD3040A1

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A3

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A6

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
3DD3040A7

Silicon NPN Transistor

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

www.DataSheet.jp    |   2019   |  メール    |   最新    |   Sitemap