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IGW30N60TPのメーカーはInfineonです、この部品の機能は「IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )」です。 |
部品番号 | IGW30N60TP |
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部品説明 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
メーカ | Infineon | ||
ロゴ | |||
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IGBT
TRENCHSTOPTMPerformancetechnology
IGW30N60TP
600VIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries
Datasheet
IndustrialPowerControl
1 Page IGW30N60TP
TRENCHSTOPTMPerformanceSeries
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Electrical Characteristics Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Package Drawing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Testing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
3 Rev.2.1,2016-02-05
3Pages IGW30N60TP
TRENCHSTOPTMPerformanceSeries
SwitchingCharacteristic,InductiveLoad
Parameter
Symbol Conditions
IGBTCharacteristic,atTvj=175°C
Turn-on delay time
td(on)
Rise time
tr
Turn-off delay time
td(off)
Fall time
tf
Turn-on energy
Eon
Turn-off energy
Eoff
Total switching energy
Ets
Tvj=175°C,
VCC=400V,IC=30.0A,
VGE=0.0/15.0V,
RG(on)=10.5Ω,RG(off)=10.5Ω,
Lσ=32nH,Cσ=60pF
Lσ,CσfromFig.E
Energy losses include “tail” and
diode (IKW30N60DTP) reverse
recovery.
min.
Value
typ.
max. Unit
- 15 - ns
- 23 - ns
- 220 - ns
- 59 - ns
- 0.99 - mJ
- 0.74 - mJ
- 1.73 - mJ
6 Rev.2.1,2016-02-05
6 Page | |||
ページ | 合計 : 14 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ IGW30N60TP データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IGW30N60T | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
IGW30N60TP | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |