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PDF 2SD469 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD469
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD469 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor
isc Product Specification
2SD469
DESCRIPTION
Low Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO= 110V (Min)
Collector Power Dissipation
Pc=100W@TC=25℃
APPLICATIONS
·Designed for use in converters, inverters, switching
regulators, motor control systems etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO Collector-Base Voltage
150 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
110 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
10 V
IC Collector Current -Continuous
10 A
PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 100
W
Tj Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
150 ℃
-65~150 ℃
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD467Silicon NPN EpitaxialHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SD467Silicon NPN EpitaxialRenesas
Renesas
2SD468Silicon NPN EpitaxialHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SD4681A, 20V, NPN SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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