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2SD2161 の電気的特性と機能

2SD2161のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN Power Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 2SD2161
部品説明 Silicon NPN Power Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




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2SD2161 Datasheet, 2SD2161 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
Product Specification
2SD2161
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA)
APPLICATIONS
·Designed for low-frequency power amplifiers and low-
speed switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
10 A
IB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@Ta=25
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
0.5 A
2
W
20
150
-55~150
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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ページ 合計 : 2 ページ
 
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[ 2SD2161 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
2SD2161

Silicon NPN Power Transistor

Inchange Semiconductor
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2SD2161

NPN Silicon Transistor

NEC
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NPN Silicon Transistor

Renesas
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