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2SD2161のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon NPN Power Transistor」です。 |
部品番号 | 2SD2161 |
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部品説明 | Silicon NPN Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
Product Specification
2SD2161
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 100V(Min)
·High DC Current Gain-
: hFE= 2000(Min)@ (VCE= 2V, IC= 2A)
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5V(Max)@ (IC= 2A, IB= 2mA)
APPLICATIONS
·Designed for low-frequency power amplifiers and low-
speed switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
100 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
5A
ICM Collector Current-Peak
10 A
IB Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
0.5 A
2
W
20
150 ℃
-55~150 ℃
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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ページ | 合計 : 2 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SD2161 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SD2161 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SD2161 | NPN Silicon Transistor | NEC |
2SD2162 | NPN Silicon Transistor | Renesas |
2SD2163 | NPN Silicon Transistor | NEC |