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PDF 2SD1113 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SD1113
Descripción Silicon NPN Power Transistor
Fabricantes Inchange Semiconductor　
Logotipo Inchange Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SD1113 Hoja de datos, Descripción, Manual

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1113
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 300V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 500(Min) @IC= 4A
APPLICATIONS
·Igniter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
300 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
6A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
10 A
40 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SD111Silicon NPN Power TransistorINCHANGE
INCHANGE
2SD1110SILICON POWER TRANSISTORSavantIC
SavantIC
2SD1111NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington TransistorSanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SD1113Silicon NPN Power TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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