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PDF KTB2955 Data sheet ( 特性 )

部品番号 KTB2955
部品説明 Silicon PNP Power Transistors
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 

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KTB2955 Datasheet, KTB2955 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
KTB2955
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -120V(Min)
·Complement to Type KTD3055
APPLICATIONS
·High power amplifier applications
·Recommended for 30~35W audio frequency amplifier output
stage application.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-120
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-120
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-10 A
IB Base Current
PC
Collector Power Dissipation
@TC=25
TJ Junction Temperature
-1 A
40 W
150
Tstg Storage Temperature
-55~150
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark

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