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IRFZ24NのメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel MOSFET Transistor」です。 |
部品番号 | IRFZ24N |
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部品説明 | N-Channel MOSFET Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRFZ24N
FEATURES
·Drain Current –ID=17A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 55V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.07Ω(Max)
·Fast Switching
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
DESCRIPTION
·Designed for low voltage, high speed switching applications in
power supplies, converters and power motor controls, these
devices are particularly well suited for bridge circuits where
diode speed and commutating safe operating areas are critical
and offer additional safety margin against unexpected voltage
transients.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VDSS
Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage-Continuous
Drain Current-Continuous@TC=25℃
ID
Drain Current-Continuous@TC=100℃
IDM Drain Current-Single Pluse
PD Total Dissipation @TC=25℃
TJ Max. Operating Junction Temperature
Tstg Storage Temperature
VALUE UNIT
55 V
±20
17
12
68
V
A
A
45 W
150 ℃
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient
MAX
3.3
62
UNIT
℃/W
℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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PDF ダウンロード | [ IRFZ24N データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRFZ24 | Power MOSFET ( Transistor ) | International Rectifier |
IRFZ24 | Power MOSFET ( Transistor ) | Fairchild Semiconductor |
IRFZ24 | Power MOSFET ( Transistor ) | Vishay |
IRFZ24A | ADVANCED POWER MOSFET | Fairchild Semiconductor |