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CJ3420のメーカーはJCSTです、この部品の機能は「MOSFETS」です。 |
部品番号 | CJ3420 |
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部品説明 | MOSFETS | ||
メーカ | JCST | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューとCJ3420ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 3 pages
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
CJ3420 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
DESCRIPTION
The CJ3420 uses advanced trench technology to provide excellent
RDS(on).This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional
load switch.
MARKING: R20
SOT-23
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
Maximum Body-Diode Continuous Current
Power Dissipation
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
RθJA
TJ
Tstg
Value
20
±12
6
25
2
0.35
357
150
-55 ~+150
Unit
V
A
W
℃/W
℃
B,May,2011
1 Page Typical Characteristics
CJ3420
Output Characteristics
20
V =10V
GS
4V
3V
2.5V
15
2V
10
T =25℃
a
Pulsed
5
V =1.5V
GS
0
012345
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V (V)
DS
R
DS(ON)
——
I
D
70
T =25℃
a
Pulsed
60
V =1.8V
GS
50
40
V =2.5V
GS
30
V =4.5V
GS
20
V =10V
GS
10
0 2 4 6 8 10
DRAIN CURRENT I (A)
D
10
T =25℃
a
Pulsed
1
I —— V
S SD
0.1
0.01
1E-3
1E-4
1E-5
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V (V)
SD
1.0
5
T =25℃
a
Pulsed
4
Transfer Characteristics
3
2
1
0
0.0
90
0.5 1.0 1.5
GATE TO SOURCE VOLTAGE V (V)
GS
2.0
R
DS(ON)
——
V
GS
T =25℃
a
Pulsed
60
30
I =6A
D
0
02468
GATE TO SOURCE VOLTAGE V (V)
GS
B,May,2011
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ CJ3420 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
CJ3420 | MOSFETS | JCST |