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CJ2101-G の電気的特性と機能

CJ2101-GのメーカーはComchipです、この部品の機能は「MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 CJ2101-G
部品説明 MOSFET ( Transistor )
メーカ Comchip
ロゴ Comchip ロゴ 




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CJ2101-G Datasheet, CJ2101-G PDF,ピン配置, 機能
MOSFET
CJ2101-G
RoHS Device
V(BR)DSS
-20V
RDS(on)MAX
100mΩ @ -4.5V
140mΩ @ -2.5V
210mΩ @ -1.8V
ID
-1.4A
Features
- P-Channel MOSFET
- Leading trench technology for low RDS(on)
extending battery life
Mechanical data
- Case: SOT-323, molded plastic.
- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,
method 2026.
- Weight: 0.008 grams(approx.).
Comchip
SMD Diode Specialist
SOT-323
0.053(1.35)
0.045(1.15)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.087(2.20)
0.079(2.00)
D
GS
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.096(2.45)
0.085(2.15)
0.016(0.40)
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.017(0.425)REF.
Dimensions in inches and (millimeter)
Circuit diagram
- 1. GATE
- 2. SOURCE
- 3. DRAIN
3
D
1
G
Maximum Ratings (at Ta=25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current (tp=10µs)
Power dissipation
Thermal resistance from junction to ambient
Junction temperature range
Storage temperature range
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RΘJA
TJ
TSTG
Value
-20
±8
-1.4
-3.0
0.29
431
150
-50 ~ +150
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
QW-BTR37
Comchip Technology CO., LTD.
S
2
Unit
V
V
A
W
°C/W
°C
°C
REV:A
Page 1

1 Page





CJ2101-G pdf, ピン配列
MOSFET
RATING AND TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES ( CJ2101-G )
Comchip
SMD Diode Specialist
-10 Ta=25°C
Pulsed
-8
Fig.1 - Output Characteristics
VGS=-4.5V,-4.0V,-3.5V,-3.0V,-2.5V
VGS=-2.2V
VGS=-2.0V
-6
VGS=-1.8V
Fig.2 - Transfer Characteristics
-10
Ta=25°C
Pulsed
-8
-6
-4
VGS=-1.6V
-4
-2
-0
-0
200
VGS=-1.4V
VGS=-1.2V
VGS=-1.0V
-1 -2 -3
-4
Drain to Soruce Voltage, VDS (A)
-5
Fig.3 - RDS(ON) ID
VGS=-1.8V
Ta=25°C
Pulsed
-2
-0
-0
120
-1 -2 -3
Gate to Source Voltage,VGS (V)
Fig.4 - RDS(ON) VGS
-4
Ta=25°C
Pulsed
100
150
VGS=-2.5V
80
ID=-1.0A
ID=-0.5A
ID=-0.3A
100
VGS=-4.5V
60
0
-0 -2 -4 -6 -8 -10
Drain Current, ID (A)
Fig.5 - IS VSD
-4
0
-0 -6 -12 -18
Gate to Source Voltage, VGS (V)
-1
-0.1
-0.01
-0.2
Ta=25°C
Pulsed
-0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4
Source to Drain Voltage, VSD (V)
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
QW-BTR37
Comchip Technology CO., LTD.
REV:A
Page 3


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
PDF
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[ CJ2101-G データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
CJ2101-G

MOSFET ( Transistor )

Comchip
Comchip


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