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2SA1242のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「Silicon PNP Power Transistor」です。 |
部品番号 | 2SA1242 |
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部品説明 | Silicon PNP Power Transistor | ||
メーカ | Inchange Semiconductor | ||
ロゴ | |||
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isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SA1242
DESCRIPTION
·hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V)
·hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A)
··High Power Dissipation-
: PC= 10W@TC=25℃,PC= 10W@Ta=25℃
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·For medium power amplifier and strobe flash applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-35 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-20 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-8 V
IC Collector Current-Continuous -5 A
ICM Collector Current-Peak
-8 A
IB Base Current
Collector Power Dissipation
PC
@ TC=25℃
Collector Power Dissipation
@Ta=25℃
TJ Junction Temperature
-0.5 A
10
W
1.0
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
℃
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
1 Page isc Silicon PNP Power Transistor
Outline Drawing
INCHANGE Semiconductor
2SA1242
isc website:www.iscsemi.com
3 isc & iscsemi is registered trademark
3Pages | |||
ページ | 合計 : 3 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ 2SA1242 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SA1241 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER/ SWITCHING APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |
2SA1242 | Silicon PNP Epitaxial Type Transistor | Toshiba Semiconductor |
2SA1242 | Silicon PNP Power Transistor | Inchange Semiconductor |
2SA1244 | TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) | Toshiba Semiconductor |