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IRG4CC20FBのメーカーはInternational Rectifierです、この部品の機能は「IGBT Die」です。 |
部品番号 | IRG4CC20FB |
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部品説明 | IGBT Die | ||
メーカ | International Rectifier | ||
ロゴ | |||
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IRG4CC20FB IGBT Die in Wafer Form
PD- 91831A
IRG4CC20FB
C
G
E
600 V
Size 2
Fast Speed
6" Wafer
Electrical Characteristics ( Wafer Form )
Parameter
Description
Guaranteed (Min/Max)
VCE (on)
V(BR)CES
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage
1.6V Max.
600V Min.
VGE(th)
ICES
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Collector Current
3.0V Min., 6.0V Max.
250µA Max.
IGES
Gate-to-Emitter Leakage Current
± 1.1µA Max.
Test Conditions
IC = 3.25A, TJ = 25°C, VGE = 15V
TJ = 25°C, ICES = 250µA, VGE = 0V
VGE = VCE , TJ =25°C, IC =250µA
TJ = 25°C, VCE = 600V
TJ = 25°C, VGE = +/- 20V
Mechanical Data
Nominal Backmetal Composition, Thickness:
Nominal Front Metal Composition, Thickness:
Dimensions:
Wafer Diameter:
Wafer thickness:
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment:
Cr-NiV-Ag (1 kA-2kA-2.5kA )
99% Al, 1% Si (4 microns)
0.107" x 0.134"
150mm, with std. < 100 > flat
.015" + / -.003"
01-5228
100 Microns
0.25mm Diameter Minimum
Consistent throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
Recommended Die Attach Conditions
Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4BC20F
Die Outline
nitrogen, with no contamination
For optimum electrical results, die attach
temperature should not exceed 300C
www.irf.com
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09/28/07
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PDF ダウンロード | [ IRG4CC20FB データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
IRG4CC20FB | IGBT Die | International Rectifier |