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PDF STN4110 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza STN4110
Descripción N Channel Enhancement Mode MOSFET
Fabricantes Stanson Technology　
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No Preview Available ! STN4110 Hoja de datos, Descripción, Manual

STN4110
N Channel Enhancement Mode MOSFET
40.0A
DESCRIPTION
STN4110 is used trench technology to provide excellent RDS(on) and gate charge.
Those devices are ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer,
telecom, industrial power supplies and LED backlighting.
PIN CONFIGURATION (D-PAK)
TO-252
TO-251
FEATURE
60V/20.0A, RDS(ON) = 10mΩ (Typ.)
@VGS = 10V
60V/20.0A, RDS(ON) = 12mΩ
@VGS = 4.5V
Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
Exceptional on-resistance and
maximum DC current capability
TO-252,TO-251 package design
PART MARKING
Y: Year Code A: Date Code Q:Process Code
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
.
STN4110 2010. V1

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STN4110 pdf
TYPICAL CHARACTERICTICS
STN4110
N Channel Enhancement Mode MOSFET
40.0A
STANSON TECHNOLOGY
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA
www.stansontech.com
.
STN4110 2010. V1

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
STN4110N Channel Enhancement Mode MOSFETStanson Technology
Stanson Technology

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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