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UT70P02のメーカーはUnisonic Technologiesです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。 |
部品番号 | UT70P02 |
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部品説明 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
メーカ | Unisonic Technologies | ||
ロゴ | |||
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
UT70P02
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
Power MOSFET
DESCRIPTION
The UT70P02 uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate
voltages. This device is suitable for use as a load switch or in
PWM applications.
FEATURES
* RDS(ON) = 6mΩ @VGS = -10 V
* Low capacitance
* Low gate charge
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
SYMBOL
2.Drain
*Pb-free plating product number: UT70P02L
1.Gate
3.Source
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Normal
Lead Free Plating
UT70P02-TN3-R
UT70P02L-TN3-R
UT70P02-TN3-T
UT70P02L-TN3-T
Package
TO-252
TO-252
Pin Assignment
123
GDS
GDS
Packing
Tape Reel
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R502-209.A
1 Page UT70P02
TYPICAL CHARACTERISTICS
Power MOSFET
On-Resistance vs. Gate Voltage
13
ID=-20A
TC=25°С
11
9
7
5
3
2 4 6 8 10 12
Gate-to-Source Voltage,-VGS (V)
Normalized On-Resistance vs.
2.0 Junction Temperature
ID=-20A
VG=-10V
1.5
1.0
0.5
-50
25 100
Junction Temperature,TJ (°С)
175
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 5
QW-R502-209.A
3Pages | |||
ページ | 合計 : 5 ページ | ||
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PDF ダウンロード | [ UT70P02 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
UT70P02 | Power MOSFET ( Transistor ) | Unisonic Technologies |
UT70P03 | Power MOSFET ( Transistor ) | Unisonic Technologies |