|
|
2SD1062のメーカーはON Semiconductorです、この部品の機能は「PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors」です。 |
部品番号 | 2SD1062 |
| |
部品説明 | PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors | ||
メーカ | ON Semiconductor | ||
ロゴ | |||
このページの下部にプレビューと2SD1062ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。 Total 4 pages
2SB826 / 2SD1062
Ordering number : EN723I
2SB826 / 2SD1062 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
50V / 12A Switching Applications
Applications
• Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications.
Features
• Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)= --0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max.
• Wide ASO leading to high resistance to breakdown.
Specifications ( ) : 2SB826
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Symbol
ICBO
IEBO
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
Ratings
(--)60
(--)50
(--)6
(--)12
(--)15
1.75
40
150
--55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Ratings
min typ max
Unit
(--)0.1 mA
(--)0.1 mA
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
2SB826_2SD1062/D
1 Page 2SB826 / 2SD1062
--16
2SB826
--14 VCE= --2V
IC -- VBE
IC -- VBE
16
2SD1062
14 VCE=2V
--12 12
--10 10
--8 8
--6
--4
--2
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V ITR08463
hFE -- IC
5
2SB826
3 VCE= --2V
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
23
--10
7
5
3
2
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
5 7 --10 2
ITR08465
2SB826
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
I
C/ I
IC/
B=20
I B=10
3
2
23
3
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
ASO
2 ICP= --15A
5 7 --10 2
ITR08467
2SB826
--10 IC= --12A
7
5
3
2
6
4
2
0
0
1000
7
5
3
2
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V ITR08464
hFE -- IC
2SD1062
VCE=2V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
0.01 2 3
10
7
5
3
2
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
5 7 10 2
ITR08466
2SD1062
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
I CI C/ I/BI=B2=010
3
2
0.01
23
3
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
ASO
2 ICP=15A
5 7 10 2
ITR08468
2SD1062
10 IC=12A
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
1ms to 100ms : Single pulse
--0.1
5 7 --1.0
2 3 5 7 --10
2 3 5 7 --100
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08469
1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
1ms to 100ms : Single pulse
0.1
5 7 1.0
23
5 7 10
2 3 5 7 100
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08470
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com
3Pages | |||
ページ | 合計 : 4 ページ | ||
|
PDF ダウンロード | [ 2SD1062 データシート.PDF ] |
データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。 |
部品番号 | 部品説明 | メーカ |
2SD1060 | 50V/5A Switching Applications | Sanyo Semicon Device |
2SD1060 | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
2SD1060 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
2SD1060 | Bipolar Transistor | ON Semiconductor |