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2SD1062 の電気的特性と機能

2SD1062のメーカーはON Semiconductorです、この部品の機能は「PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 2SD1062
部品説明 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
メーカ ON Semiconductor
ロゴ ON Semiconductor ロゴ 




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2SD1062 Datasheet, 2SD1062 PDF,ピン配置, 機能
2SB826 / 2SD1062
Ordering number : EN723I
2SB826 / 2SD1062 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
50V / 12A Switching Applications
Applications
Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications.
Features
Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)= --0.5V(PNP), 0.4V(NPN) max.
Wide ASO leading to high resistance to breakdown.
Specifications ( ) : 2SB826
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Symbol
ICBO
IEBO
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
Ratings
(--)60
(--)50
(--)6
(--)12
(--)15
1.75
40
150
--55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Ratings
min typ max
Unit
(--)0.1 mA
(--)0.1 mA
Continued on next page.
© 2011, SCILLC. All rights reserved.
Jan-2011, Rev. 0
Rev.0 I Pwagwew1.oofn4seImwiw.cwo.omnsemi.com
Publication Order Number:
2SB826_2SD1062/D

1 Page





2SD1062 pdf, ピン配列
2SB826 / 2SD1062
--16
2SB826
--14 VCE= --2V
IC -- VBE
IC -- VBE
16
2SD1062
14 VCE=2V
--12 12
--10 10
--8 8
--6
--4
--2
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V ITR08463
hFE -- IC
5
2SB826
3 VCE= --2V
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
23
--10
7
5
3
2
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
5 7 --10 2
ITR08465
2SB826
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
I
C/ I
IC/
B=20
I B=10
3
2
23
3
5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
ASO
2 ICP= --15A
5 7 --10 2
ITR08467
2SB826
--10 IC= --12A
7
5
3
2
6
4
2
0
0
1000
7
5
3
2
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V ITR08464
hFE -- IC
2SD1062
VCE=2V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
0.01 2 3
10
7
5
3
2
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
5 7 10 2
ITR08466
2SD1062
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
I CI C/ I/BI=B2=010
3
2
0.01
23
3
5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3
Collector Current, IC -- A
ASO
2 ICP=15A
5 7 10 2
ITR08468
2SD1062
10 IC=12A
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
1ms to 100ms : Single pulse
--0.1
5 7 --1.0
2 3 5 7 --10
2 3 5 7 --100
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08469
1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
1ms to 100ms : Single pulse
0.1
5 7 1.0
23
5 7 10
2 3 5 7 100
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08470
Rev.0 I Page 3 of 4 I www.onsemi.com


3Pages





ページ 合計 : 4 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ 2SD1062 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
2SD1060

50V/5A Switching Applications

Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SD1060

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
2SD1060

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC
SavantIC
2SD1060

Bipolar Transistor

ON Semiconductor
ON Semiconductor


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