DataSheet.jp

MTD030N10QJ3 の電気的特性と機能

MTD030N10QJ3のメーカーはCystech Electonicsです、この部品の機能は「N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 MTD030N10QJ3
部品説明 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
メーカ Cystech Electonics
ロゴ Cystech Electonics ロゴ 




このページの下部にプレビューとMTD030N10QJ3ダウンロード(pdfファイル)リンクがあります。
Total 9 pages

No Preview Available !

MTD030N10QJ3 Datasheet, MTD030N10QJ3 PDF,ピン配置, 機能
CYStech Electronics Corp.
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTD030N10QJ3
Spec. No. : C168J3
Issued Date : 2016.03.07
Revised Date : 2016.04.27
Page No. : 1/9
BVDSS
ID@VGS=10V, TC=25°C
RDS(ON)@VGS=10V, ID=10A
100V
29A
23mΩ(typ)
Features
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Pb-free lead plating and halogen-free package
Equivalent Circuit
MTD030N10QJ3
Outline
TO-252(DPAK)
GGate DDrain
SSource
G DS
Ordering Information
Device
MTD030N10QJ3-0-T3-G
Package
Shipping
TO-252
(Pb-free lead plating and halogen-free package)
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTD030N10QJ3
CYStek Product Specification

1 Page





MTD030N10QJ3 pdf, ピン配列
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C168J3
Issued Date : 2016.03.07
Revised Date : 2016.04.27
Page No. : 3/9
td(ON) *1, 2 - 10 -
tr *1, 2
td(OFF) *1, 2
-
-
24
32.2
-
-
ns
tf *1, 2
- 13.4 -
Ciss - 705 -
Coss
- 123 - pF
Crss - 120 -
Rg - 1 - Ω
Source-Drain Diode
IS *1
ISM *3
-
-
-
-
29
116
A
VSD *1
- 0.74 1 V
trr - 32 - ns
Qrr - 36 - nC
Note : *1.Pulse Test : Pulse Width 300μs, Duty Cycle2%
*2.Independent of operating temperature
*3.Pulse width limited by maximum junction temperature.
VDS=50V, ID=10A, VGS=10V,
RG=3Ω
VGS=0V, VDS=25V, f=1MHz
f=1MHz
IS=1A, VGS=0V
IF=10A, dIF/dt=100A/μs
Recommended soldering footprint
MTD030N10QJ3
CYStek Product Specification


3Pages


MTD030N10QJ3 電子部品, 半導体
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C168J3
Issued Date : 2016.03.07
Revised Date : 2016.04.27
Page No. : 6/9
Typical Characteristics(Cont.)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Typical Transfer Characteristics
VDS=10V
24 68
VGS, Gate-Source Voltage(V)
10
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0.001
Single Pulse Power Rating, Junction to Case
TJ(MAX)=150°C
TC=25°C
RθJC=2.5°C/W
0.01 0.1
1
Pulse Width(s)
10 100
1
D=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Transient Thermal Response Curves
1.RθJC(t)=r(t)*RθJC
2.Duty Factor, D=t1/t2
3.TJM-TC=PDM*RθJC(t)
4.RθJC=2.5°C/W
0.001
1.E-04
Single Pulse
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
t1, Square Wave Pulse Duration(s)
1.E+01
1.E+02
1.E+03
MTD030N10QJ3
CYStek Product Specification

6 Page



ページ 合計 : 9 ページ
 
PDF
ダウンロード
[ MTD030N10QJ3 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


共有リンク

Link :


部品番号部品説明メーカ
MTD030N10QJ3

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Cystech Electonics
Cystech Electonics


www.DataSheet.jp    |   2020   |  メール    |   最新    |   Sitemap