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IXTY4N65X2 の電気的特性と機能

IXTY4N65X2のメーカーはIXYSです、この部品の機能は「Power MOSFET ( Transistor )」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IXTY4N65X2
部品説明 Power MOSFET ( Transistor )
メーカ IXYS
ロゴ IXYS ロゴ 




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IXTY4N65X2 Datasheet, IXTY4N65X2 PDF,ピン配置, 機能
Preliminary Technical Information
X2-Class
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTY4N65X2
IXTA4N65X2
IXTP4N65X2
VDSS =
ID25 =
RDS(on)
650V
4A
850m
TO-252 (IXTY)
Symbol
VDSS
VDGR
VGSS
VGSM
ID25
IDM
IA
EAS
dv/dt
PD
TJ
TJM
Tstg
TL
TSOLD
FMCd
Weight
Test Conditions
TJ = 25C to 150C
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
Continuous
Transient
Maximum Ratings
650
650
30
40
V
V
V
V
TC = 25C
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM
TC = 25C
TC = 25C
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C
TC = 25C
4
8
2
150
50
80
-55 ... +150
150
-55 ... +150
A
A
A
mJ
V/ns
W
C
C
C
Maximum Lead Temperature for Soldering
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s
300
260
°C
°C
Mounting Force (TO-263)
Mounting Torque (TO-220)
10.65 / 2.2..14.6
1.13 / 10
N/lb
Nm/lb.in
TO-252
TO-263
TO-220
0.35
2.50
3.00
g
g
g
G
S
D (Tab)
TO-263 (IXTA)
G
S
TO-220 (IXTP)
D (Tab)
GDS
D (Tab)
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
Features
International Standard Packages
Low RDS(ON) and QG
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Symbol
Test Conditions
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)
BVDSS
VGS = 0V, ID = 250μA
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 250μA
IGSS VGS = 30V, VDS = 0V
IDSS VDS = VDSS, VGS = 0V
TJ = 125C
RDS(on)
VGS = 10V, ID = 0.5 ID25, Note 1
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
650 V
3.0 5.0 V
100 nA
5 A
100 A
850 m
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
PFC Circuits
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100648A(6/15)

1 Page





IXTY4N65X2 pdf, ピン配列
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC
VGS = 10V
7V
6V
5.5V
5V
0.5 1 1.5 2 2.5 3
VDS - Volts
3.5
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125ºC
4.0
VGS = 10V
3.5 8V
7V
3.0
2.5
2.0
6V
1.5
1.0
0.5
5V
0.0
012345678
VDS - Volts
Fig. 5. RDS(on) Normalized to ID = 2A Value vs.
Drain Current
4.5
4.0 VGS = 10V
3.5 TJ = 125ºC
3.0
2.5
2.0 TJ = 25ºC
1.5
1.0
0.5
012345678
ID - Amperes
9
9
IXTY4N65X2 IXTA4N65X2
IXTP4N65X2
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC
10
9 VGS = 10V
8V
8
7 7V
6
5
6V
4
3
2
1 5V
0
0 4 8 12 16 20 24 28 32
VDS - Volts
Fig. 4. RDS(on) Normalized to ID = 2A Value vs.
Junction Temperature
3.5
VGS = 10V
3.0
2.5
I D = 4A
2.0
I D = 2A
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25 0
25 50 75 100 125
TJ - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
150
-25 0 25 50 75 100 125 150
TC - Degrees Centigrade
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved


3Pages





ページ 合計 : 5 ページ
 
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[ IXTY4N65X2 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IXTY4N65X2

Power MOSFET ( Transistor )

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