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IRF645 の電気的特性と機能

IRF645のメーカーはInchange Semiconductorです、この部品の機能は「N-Channel Mosfet Transistor」です。


製品の詳細 ( Datasheet PDF )

部品番号 IRF645
部品説明 N-Channel Mosfet Transistor
メーカ Inchange Semiconductor
ロゴ Inchange Semiconductor ロゴ 




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IRF645 Datasheet, IRF645 PDF,ピン配置, 機能
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor
isc Product Specification
IRF645
·FEATURES
·Avalanche Rugged Technology
·Rugged Gate Oxide Technology
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·Lower Leakage Current: 10mA (Max.) @ VDS = 250V
·DESCRITION
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solenoid drivers.
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
VGS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
250
±20
V
V
ID Drain Current-Continuous
13 A
IDM Drain Current-Single Plused
52 A
PD Total Dissipation @TC=25
125 W
Tj Max. Operating Junction Temperature -55~150
Tstg Storage Temperature
-55~150
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
RθJA
Thermal Resistance,Junction to Case
Junction-to-Ambient
MAX UNIT
1.0 /W
80 /W
isc websitewww.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn

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[ IRF645 データシート.PDF ]


データシートを活用すると、その部品の主な機能と仕様を詳しく理解できます。 ピン構成、電気的特性、動作パラメータ、性能を確認してください。


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部品番号部品説明メーカ
IRF640

N-channel TrenchMOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
IRF640

N-CHANNEL 200V, 18A, MOSFET ( TO-220/TO-220FP )

STMicroelectronics
STMicroelectronics
IRF640

Power MOSFET(Vdss=200V/ Rds(on)=0.18ohm/ Id=18A)

International Rectifier
International Rectifier
IRF640

200V N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor


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