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PDF IRF640FI Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IRF640FI | |
| Descripción | N-Channel Mosfet Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF640FI
FEATURES
·Low RDS(on) = 0.180Ω(TYP)
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·Rugged Gate Oxide Technology
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
200
±20
V
V
ID Drain Current-Continuous
10 A
IDM Drain Current-Single Pluse
40 A
PD Total Dissipation @TC=25℃
40 W
TJ
Max. Operating Junction Temperature
-55~150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~150 ℃
isc website：www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IRF640FI | N-Channel Mosfet Transistor | Inchange Semiconductor |
| IRF640FP | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET |  STMicroelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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